Trosolwg o'r cynnyrch
Mae ein hoffer chwistrellu ffilm carbon yn system bwrpasol sydd wedi'i hadeiladu ar gyfer gosod haenau amddiffynnol ffilm carbon tymheredd uchel ar ddyfeisiau SiC. Mae'n defnyddio pensaernïaeth clwstwr y gellir ei ffurfweddu gyda siambrau proses lluosog, ac mae'n dod â llwytho a dadlwytho wafferi awtomatig. Trwy gymhwyso technoleg ffilm DLC (diemwnt -fel carbon), mae'n atal calchio arwyneb ar wafferi SiC i bob pwrpas yn ystod anelio tymheredd uchel, gan ddarparu amddiffyniad sefydlog a dibynadwy i'r wyneb.
Manteision
Mae'r dyluniad clwstwr yn cefnogi siambrau proses lluosog, gan ganiatáu graddio hyblyg i gyd-fynd â gwahanol feintiau swp a hybu effeithlonrwydd cynhyrchu cyffredinol.
Mae llwytho a dadlwytho awtomatig yn lleihau ymyrraeth â llaw, yn gwella ailadroddadwyedd prosesau, ac yn cefnogi prosesu swp parhaus.
Mae'r broses ffilm DLC yn atal sialc arwyneb wafferi SiC yn effeithiol, gan gadw ansawdd yr arwyneb a gwella perfformiad a dibynadwyedd dyfeisiau.
Mae'r siambr sputtering yn cyrraedd gwactod eithaf Llai na neu'n hafal i 6E-5Pa, a rheolir unffurfiaeth trwch ffilm o fewn ±5%, gan sicrhau haenau cyson o ansawdd uchel.
Mae cydnawsedd â wafferi 6 modfedd ac 8 modfedd yn gwneud y system yn addasadwy i wahanol linellau cynhyrchu a gofynion proses.
Ceisiadau
Defnyddir yr offer hwn yn bennaf wrth baratoi haenau amddiffynnol ffilm carbon ar gyfer dyfeisiau SiC, yn enwedig yn ystod prosesau anelio tymheredd uchel. Mae'n cefnogi wafferi SiC 6-modfedd ac 8-modfedd, gan ei gwneud yn addas ar gyfer ymchwil a datblygu a chynhyrchu màs o ddyfeisiadau lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth megis dyfeisiau pŵer SiC, dyfeisiau RF, a chydrannau electronig eraill sy'n seiliedig ar SiC.
FAQ
C: 1. Ar gyfer beth mae offer sputtering ffilm carbon yn cael ei ddefnyddio?
A: Fe'i defnyddir i osod haenau amddiffynnol ffilm carbon tymheredd uchel ar ddyfeisiau SiC, yn enwedig yn ystod anelio tymheredd uchel i atal sialc arwyneb.
C: 2. Beth yw prif fanteision yr offer hwn?
A: Mae'n cynnwys dyluniad clwstwr, llwytho / dadlwytho awtomatig, technoleg ffilm DLC, perfformiad gwactod uchel, ac unffurfiaeth trwch da.
C: 3. Pa feintiau wafferi y mae'n eu cefnogi?
A: Mae'r offer hwn yn cefnogi wafferi SiC 6 modfedd ac 8 modfedd ar gyfer gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion ac Ymchwil a Datblygu.
C: 4. A all atal sialc arwyneb afrlladen SiC?
A: Ydy, mae ei broses ffilm DLC i bob pwrpas yn atal sialc yn ystod anelio tymheredd uchel ac yn amddiffyn ansawdd wafferi.
C: 5. Pa mor fanwl gywir yw'r broses gorchuddio?
A: Mae'r siambr sputtering yn cyrraedd Llai na neu'n hafal i wactod 6E-5Pa, a rheolir unffurfiaeth trwch ffilm o fewn ±5%.
C: 6. A yw'n addas ar gyfer cynhyrchu màs?
A: Ydy, mae strwythur y clwstwr a thrin awtomatig yn ei gwneud yn ddelfrydol ar gyfer ymchwil a datblygu a chynhyrchu dyfeisiau SiC ar raddfa fawr.
C: 7. Ble mae'r offer hwn yn cael ei gymhwyso'n gyffredin?
A: Fe'i defnyddir yn eang mewn lled-ddargludyddion trydedd genhedlaeth ar gyfer dyfeisiau pŵer SiC, dyfeisiau RF, a chydrannau electronig cysylltiedig.
Tagiau poblogaidd: system sputtering magnetron carbon, Tsieina carbon magnetron sputtering system gweithgynhyrchwyr, cyflenwyr
