Trosolwg o'r cynnyrch
Mae ein RIE Etcher 12-modfedd (Reactive Ion Etcher) yn gyfarpar ysgythru sych manwl a ddatblygwyd gennym yn annibynnol-wedi'i deilwra'n benodol ar gyfer prosesu micro-nano uwch. Yn greiddiol iddo, mae'n asio peledu ïon corfforol â mecanweithiau adwaith cemegol, gan dorri trwy'r dagfa "fanwl fanwl-bantoli rheolaeth" anodd honno sydd wedi bod yn bla ers amser maith gyda thechnoleg ysgythru traddodiadol. Mae ganddo allu ysgythru anisotropig rhagorol a detholedd deunydd hynod o uchel, sy'n golygu ei fod yn rhoi cynnig ar offeryn proses graidd ar gyfer gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion, datblygu MEMS, a chynhyrchu dyfeisiau optoelectroneg. P'un a ydych chi'n gwneud ymchwil labordy pen uchel neu'n cynyddu cynhyrchiad màs diwydiannol, mae'r gyfres hon yn darparu datrysiadau proses sefydlog, dibynadwy y gallwch chi ddibynnu arnynt.
Ceisiadau
- Gweithgynhyrchu Lled-ddargludyddion: Rydym yn ei ddefnyddio ar gyfer-patrymu transistor pen blaen, -ysgythru TSV diwedd, a phrosesu swbstrad SOI-cyfanswm-ar gyfer prosesau sglodion crebachu.
- Datblygu Dyfais MEMS: Mae'n hoelio prosesu micro-synwyryddion, actiwadyddion, a sglodion hylifol yn fanwl gywir, gan ysgythru adeileddau 3D yn ddibynadwy (cymhareb agwedd hyd at 20:1) ar silicon a pholymerau.
- Diwydiant optoelectroneg: Yn gweithio ar gyfer tonnau optegol, wafferi epitaxial LED, ffotosynwyryddion-rheoli strwythur tynn yn cynyddu effeithlonrwydd golau.
- Ymchwil Nanotechnoleg: Ar y cyd â thechnoleg ALE, mae'n tynnu deunydd lefel atomig-yn hynod ddibynadwy ar gyfer deunyddiau 2D (graffene, MoS₂) a phatrymau nano.
Manteision
Cysyniad dylunio corff y brifysgol:
Ôl-troed{0}}argraffiad yn weddill (cyf 1.0m* 1.0m)
Pwmp canolfan siambr unffurf-i lawr:
Gwell perfformiad proses
Mae porthwr nwy pen cawod-i mewn, hefyd yn gallu cael ei ffurfweddu:
Wedi'i diwnio fel paramedr rhagosodedig yn ddibynnol
Gellir ffurfweddu Bwlch rhyddhau plasma:
Wedi'i diwnio fel paramedr rhagosodedig yn ddibynnol
Cyfeiriadedd cost neu berfformiad yn ddewisol:
RF, Pwmp, Gwerthoedd ac ati yn dibynnu ar ofynion
Trin sampl yn ddewisol:
Agor{0}}Llwytho neu Llwytho-Cloi
Paramedrau
|
Manyleb |
Paramedrau |
|
Ystod Maint Wafer |
Wafferi 4,6,8,12 modfedd neu aml-yn ddewisol |
|
Deunyddiau Ysgythru |
Si{0}}Seiliedig(Si/ SiO2/ SiNx/ SiC/ Quartz ac ati), Cyfansoddion |
|
Gwactod |
TMP a Phwmp Mecanyddol |
|
Pŵer RF |
Ystod Llawn 300-1000W, dewisol |
|
System Nwy |
4 llinell (Safonol) neu wedi'u haddasu |
|
Oeri Wafferi |
Oeri Dŵr neu Oeri Oeri Ochr Gefn yn ddewisol |
|
Cam Wafer |
O-70 gradd i 200 gradd, dewisol |
|
Dim-Unffurfiaeth |
Llai na ± 5% (Gwahardd Ymyl) |
FAQ
Pa fathau o ddeunyddiau y gall y broses RIE Etcher 12-modfedd?
Mae'n cwmpasu deunyddiau sy'n seiliedig ar Si, lled-ddargludyddion cyfansawdd, deunyddiau 1D&2D, metelau, ac ati, ac mae hefyd yn cefnogi dadansoddiad methiant o ddeunyddiau cysylltiedig.
Pa feintiau wafferi sy'n cael eu cefnogi?
Yn gydnaws â wafferi 4/6/8/12-modfedd a phrosesu aml-wafferi, gyda datrysiadau wedi'u teilwra ar gael ar gyfer meintiau arbennig.
Beth yw unffurfiaeth ysgythru?
Yr unffurfiaeth nad yw'n-yw<±5% after edge exclusion, ensuring full-wafer processing consistency.
Beth yw ystod tymheredd y cam wafer?
-Dewisol -70 gradd i 200 gradd , yn bodloni gofynion prosesau ysgythru tymheredd isel i dymheredd uchel.
Faint o linellau nwy sydd yn y cyfluniad safonol, ac a ellir ei addasu?
Mae'r cyfluniad safonol yn cynnwys 4 llinell nwy, y gellir eu haddasu a'u hehangu yn unol ag anghenion proses gymhleth.
Beth yw ystod pŵer RF?
Yn cwmpasu ystod lawn o 300-1000W, y gellir ei ddewis yn ôl y galw.
Beth yw'r dulliau trin sampl?
Yn darparu dau opsiwn: Agor{0}}Llwytho a Llwytho-Cloi, addasu i wahanol anghenion effeithlonrwydd cynhyrchu a rheolaeth amgylcheddol.
Pa system gwactod sydd wedi'i chyfarparu?
Yn mabwysiadu cyfuniad o bwmp turbomoleciwlaidd TMP a phwmp mecanyddol i sicrhau amgylchedd gwactod sefydlog sy'n ofynnol ar gyfer ysgythru.
A yw cynnal a chadw offer yn gyfleus?
Mae'r dyluniad integredig yn symleiddio'r strwythur mewnol, mae cydrannau allweddol yn hawdd i'w cynnal, gan leihau amser segur ac anhawster cynnal a chadw.
A ellir addasu'r bwlch rhyddhau plasma?
Gellir ei ffurfweddu a'i addasu fel paramedr rhagosodedig yn unol â gofynion y broses i gyflawni rheolaeth ysgythru manwl gywir.
A yw'n cefnogi opsiynau cyfluniad sy'n canolbwyntio ar gost{0}neu berfformiad-?
Yn cefnogi'r ddau ffurfweddiad; gellir dewis cydrannau allweddol fel cyflenwad pŵer RF, pwmp, a falfiau yn ôl y galw i gydbwyso cost neu wella perfformiad.
A ellir addasu'r dull oeri wafferi?
Yn cefnogi dau opsiwn: oeri dŵr ac oeri ochr gefn He, gydag atebion wedi'u teilwra ar gael ar gyfer anghenion arbennig.
Tagiau poblogaidd: ysgythru rie 12-modfedd, Tsieina rie etcher 12-modfedd gweithgynhyrchwyr, cyflenwyr
